This book focusses on the spacer engineering aspects of novel MOS-based device–circuit co-design in sub-20nm technology node, its process complexity, variability, and reliability issues. It comprehensively explores the Fin FET/tri-gate architectures with their circuit/SRAM suitability and tolerance to random statistical variations.
Buy this ebook and get 1 more FREE!
รูป PDF ● หน้า 154 ● ISBN 9781351751049 ● สำนักพิมพ์ CRC Press ● การตีพิมพ์ 2017 ● ที่สามารถดาวน์โหลดได้ 3 ครั้ง ● เงินตรา EUR ● ID 5329239 ● ป้องกันการคัดลอก Adobe DRM
ต้องใช้เครื่องอ่านหนังสืออิเล็กทรอนิกส์ที่มีความสามารถ DRM